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Toshiba lancia NAND Flash ad alta densità
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Scritto da Administrator   
Martedì 12 Agosto 2008 14:05

toshiba_nand

Toshiba annuncia il lancio di moduli di memoria NAND Flash da 32GB, che offrono la più grande densità mai annunciata oltre alla piena conformità con gli standard eSD ed eMMC Toshiba. Grazie alle dimensioni ridotte, tali chip troveranno impiego in dispositivi mobile.

Questi nuovi dispositivi sono stati progettati per trovare applicazione nei prodotti consumer digitali mobile, tra cui ad esempio videocamere e smartphone. I primi sample saranno disponibili da Settembre di quest'anno, mentre la produzione in volumi inizierà l'ultimo quadrimestre dell'anno.

Le nuove NAND Toshiba incorporano 8 chip NAND da 32Gbit (ovvero 4 GB) fabbricati con il processo produttivo d'avanguardia a 43nm di Toshiba e integrano un controller dedicato. Piena compatibilità con EDEC/MMCA Ver 4.3 and SDA Ver 2.0, gli standard per le memory card MMC ed SD.

42nm

La nuova linea di NAND Flash toshiba comprenderà diversi modelli, in tagli a partire da 1GB fino a un massimo di 32GB, per trovare applicazione in una varia gamma di prodotti.

Il controller integrato compatibile con JEDEC / MMCA gestisce funzioni essenziali, tra cui il controllo della scrittura a blocchi, una correzione di errore (ECC) e software del driver. Tutto ciò semplifica lo sviluppo di sistemi mobile, consentendo ai produttori di ridurre al minimo i costi di sviluppo e di migliorare il "time to market" per nuovi prodotti.

La vasta linea di NAND supporta capacità da 1 a 32GB; una NAND da 32GB permette di registrare fino a 560 ore di musica a un bit rate 128 Kbps, 4 ore di video ad alta definizione e 7,3 ore di video a definizione standard. 

Di seguito i modelli previsti della nuova linea di NAND Flash:

e-MMC

Product Number Capa. Package Sample Shipment Mass Production Production Scale
THGBM1G8D8EBAI2 32GB 169Ball FBGA
14x18x1.4mm
Oct., 08 4Q, 08
(Oct.~Dec.)
1 million/ month
(Total)
THGBM1G7D8EBAI0 16GB 169Ball FBGA
12x18x1.4mm
Sep., 08 4Q, 08
(Oct.~Dec.)
THGBM1G7D4EBAI2 16GB 169Ball FBGA
14x18x1.4mm
4Q, 08
(Oct.~Dec.)
4Q, 08
THGBM1G6D4EBAI4 8GB 169Ball FBGA
12x18x1.3mm
Sep., 08 4Q, 08
(Oct.~Dec.)
THGBM1G5D2EBAI7 4GB 169Ball FBGA
12x16x1.3mm
Oct., 08 4Q, 08
(Oct.~Dec.)
THGBM1G4D1EBAI7 2GB 169Ball FBGA
12x16x1.3mm
4Q, 08
(Oct.~Dec.)
1Q, 09
(Jan.~Mar.)
THGBM1G3D1EBAI8 1GB 153Ball FBGA
11.5x13x1.2mm
4Q, 08
(Oct.~Dec.)
1Q, 09
(Jan.~Mar.)

eSD

Product Number Capa. Package Sample Shipment Mass Production Production Scale
THGVS4G8D8EBAI2 32GB 169Ball FBGA
14x18x1.4mm
Sep., 08 4Q, 08
(Oct.~Dec.)
500K/ month
(Total)
THGVS4G7D8EBAI0 16GB 169Ball FBGA
12x18x1.4mm
Sep., 08 4Q, 08
(Oct.~Dec.)
THGVS4G7D4EBAI2 16GB 169Ball FBGA
14x18x1.4mm
4Q, 08
(Oct.~Dec.)
4Q, 08
THGVS4G6D4EBAI4 8GB 169Ball FBGA
12x18x1.3mm
Sep., 08 4Q, 08
(Oct.~Dec.)
THGVS4G5D2EBAI4 4GB 169Ball FBGA
12x18x1.3mm
4Q, 08
(Oct.~Dec.)
4Q, 08
(Oct.~Dec.)
THGVS4G4D1EBAI4 2GB 169Ball FBGA
12x18x1.3mm
4Q, 08
(Oct.~Dec.)
1Q, 09
(Jan.~Mar.)
THGVS4G3D1EBAI8 1GB 153Ball FBGA
11.5x13x1.2mm
1Q, 09
(Jan.~Mar.)
1Q, 09
(Jan.~Mar.)

Queste invece le caratteristiche dei dispositivi di memoria:

e-MMC

Interface JEDEC/MMCA Ver 4.3 standard HS-MMC interface
Power Supply Voltage 2.7 to 3.6V(memory core)/ 1.7V to 1.95V (interface)
Bus width x1 / x4 / x8
Writing Speed Target 10 MB per sec  (Sequential Mode)
Target 18 MB per sec  (Sequential/Interleave Mode)(5)
Reading Speed Target 20 MB per sec  (Sequential Mode)
Temperature -25degrees - +85degees Celsius
Package 153Ball FBGA (+16 support Ball)

(5) Disponibili solo per i modelli THGBM1G8D8EBAI2 e THGBM1G7D4EBAI2.

eSD

Interface SDA Ver 2.0 standard SD interface
Power Supply Voltage 2.7 to 3.6V
Bus width x1 / x4
Writing Speed SDA standard Class 4
Reading Speed SDA standard Class 4
Temperature -25degrees - +85degees Celsius
Package 153Ball FBGA (+16 support Ball)

 

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